爐內氣體對硅碳棒的影向：           （1）低溫干躁氣的的的影響：硅碳棒能在中室溫（1600℃）、低溫干躁的氣的中長期運用，功率電阻遲滯不斷增加。o2（O2）與SiC在中室溫時發生體現，生產二腐蝕硅（SiO2）。是因為硅碳棒外層達成了一點SiO2自我透明膜，以至于硅碳棒享有強大的抗腐蝕性。      （2）水蒸汽的印象：水蒸汽（H2O）在1100℃時與SiC產生強電化學現象，合成Si、SiO2和C。硅碳棒面上突然出現開裂，功率電阻發展轉速更慢。      （3）離氮氣（N2）的影向：當硅碳棒的表面氣溫完成1400℃時，N2就與SiC出現發應，轉化成氮化硅，使硅碳棒的熱敏電阻值取得發展。      （4）氧氣（H2）的癥狀：在1250℃時，H2與SiC發生癥狀，轉為丁烷（CH4）,受到破壞SiC變燙體。     （5）二氧化氮（NH3）的不良影響：NH3在中高溫時可分解的成成N2和H2。故運行溫度因素應操作在1250℃一下。      （6）二被氧化硫（SO2）的干擾：SO2在1300℃與SiC作用，故適用室內溫度應操縱在1300℃以內。      （7）氯化氫氣體（Cl2）的作用：Cl2在600℃時也就會與SiC會出現化學反應，在1200℃時，Cl2會把硅碳棒溶解。4、 SiC與稀鹽酸（HCL）、濃鹽酸（H2SO4）在耐高溫時不情況化學上不良化學反應。濃磷酸（H3PO4）在250℃時與SiC情況不良化學反應，提取二鈍化氮（O2）、二鈍化氮（CH4）、二鈍化碳（CO2）和二鈍化硅（SiO2）。濃硝酸銀（HNO3）與鹽酸（HF）的搭配物在干燥下能水解SiC。